氮化硅涂层坩埚
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
本实用新型是关于直拉单晶硅用的坩埚，其特点是在坩埚基体上涂敷了一层Si3N4涂层。涂层采用常压化学气相淀积法制备。坩埚基体材料既可是石英(SiO2)玻璃，也可是石墨。Si3N4具有优良的物理机械性能，并不与熔硅起反应，它把熔硅和石英隔开，避免了熔硅对石英坩埚内壁的侵蚀，达到降低单晶硅杂质含量的目的。
基本信息
专利标题 ：
氮化硅涂层坩埚
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN87206316.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1987-04-16
授权号 ：
CN87206316U
授权日 ：
1987-12-30
发明人 ：
杜光庭周卫侯悦
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园
代理机构 ：
清华大学专利事务所
代理人 ：
张志东
优先权 ：
CN87206316.X
主分类号 ：
C30B15/10
IPC分类号 ：
C30B15/10
相关图片
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
C30B15/10
承载熔融液的坩埚或容器
法律状态
1992-08-05 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1988-10-19 ：
授权
1987-12-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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