用氮化硅涂层制造太阳电池的方法
视为撤回的专利申请
摘要
转换效率达12.5％至16％的硅太阳电池的制造方法，包括在邻近硅衬底的前部表面形成P/N结，对衬底的前部表面进行选择的等离子表面蚀刻处理，并通过两个步骤等离子处理在被蚀刻的前部表面形成多硅氮烷涂层。该多硅氮烷涂层被加以蚀刻以形成栅格电极图形。在该衬底的后侧涂敷以铝涂层，以便形成后电极。将该铝涂层加热使得与硅衬底合金化，并从而形成欧姆接触。衬底的前部表面的暴露的硅用导电良好的金属的粘附层涂敷以形成栅极。
基本信息
专利标题 ：
用氮化硅涂层制造太阳电池的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1030498A
申请号 ：
CN88103828.8
公开（公告）日 ：
1989-01-18
申请日 ：
1988-06-14
授权号 ：
CN1012603B
授权日 ：
1991-05-08
发明人 ：
罗纳德·C·贡西奥罗斯基乔治·陈尼恩科
申请人 ：
无比太阳能公司
申请人地址 ：
美国马萨诸塞州
代理机构 ：
中国专利代理有限公司
代理人 ：
张志醒
优先权 ：
CN88103828.8
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18
法律状态
1992-09-23 ：
视为撤回的专利申请
1991-05-08 ：
审定
1990-10-10 ：
实质审查请求
1989-01-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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