氮化硅层的制造方法及半导体元件的制造方法
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摘要
一种氮化硅层的制造方法，首先提供一衬底。接着，在衬底上形成氮化硅层。然后，在低于一大气压的压力环境中，对氮化硅层进行紫外光照射处理。藉此，可增加氮化硅层的拉伸应力。
基本信息
专利标题 ：
氮化硅层的制造方法及半导体元件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1949464A
申请号 ：
CN200510113716.3
公开（公告）日 ：
2007-04-18
申请日 ：
2005-10-14
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
陈能国蔡腾群廖秀莲
申请人 ：
联华电子股份有限公司
申请人地址 ：
台湾省新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510113716.3
主分类号 ：
H01L21/3105
IPC分类号 ：
H01L21/3105 H01L21/336
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
法律状态
2009-09-23 ：
授权
2007-06-13 ：
实质审查的生效
2007-04-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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2、
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