氮化硅沉积方法及半导体装置的制造方法
公开
摘要
本申请涉及半导体制造领域，具体涉及一种氮化硅沉积方法及半导体装置的制造方法，提供反应腔室，所述反应腔室内放置有待处理晶圆；对所述反应腔室进行升温，使所述反应腔室升温至起始沉积温度，然后通入反应气体进行沉积；控制降温速率对所述反应腔室进行降温，使所述反应腔室自所述起始沉积温度降温到正常沉积温度，并保持在正常沉积温度；其中，所述正常沉积温度小于所述起始沉积温度。在升温过程和降温过程中也导入反应气体进行薄膜的扩散沉积，从而使整个扩散沉积中形成一个良好的温差互补，使得最终制备出的薄膜厚度均匀。
基本信息
专利标题 ：
氮化硅沉积方法及半导体装置的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628254A
申请号 ：
CN202011439749.8
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李殷廷金东盱白国斌高建峰杨涛李俊峰王文武
申请人 ：
中国科学院微电子研究所;真芯（北京）半导体有限责任公司
申请人地址 ：
北京市朝阳区北土城西路3号
代理机构 ：
北京辰权知识产权代理有限公司
代理人 ：
金铭
优先权 ：
CN202011439749.8
主分类号 ：
H01L21/318
IPC分类号 ：
H01L21/318
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/314
无机层
H01L21/318
由氮化物组成的无机层
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
