电浆增强化学气相沉积方法、半导体结构及其制造方法
公开
摘要
一种电浆增强化学气相沉积方法、半导体结构及其制造方法，电浆增强化学气相沉积方法包括将其上具有磁性层的晶片装载到配备有射频系统的处理室中，将芳香烃前驱物引入处理室中，并开启射频系统的射频源以大于约1000赫兹的频率将芳香烃前驱物分解成活性自由基，并透过射频系统加热磁性层，从而在磁性层上形成石墨烯层。
基本信息
专利标题 ：
电浆增强化学气相沉积方法、半导体结构及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530367A
申请号 ：
CN202210038269.3
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2022-01-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
黄健治许芸瑄倪懿池吴志毅
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹市新竹科学工业园区力行六路八号
代理机构 ：
北京律诚同业知识产权代理有限公司
代理人 ：
徐金国
优先权 ：
CN202210038269.3
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L21/74 H01L29/78
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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