等离子体增强化学气相沉积系统
授权
摘要
本实用新型提供一种等离子体增强化学气相沉积系统(1),包括：基片能够在其中被沉积薄膜的沉积室(3)，在所述沉积室(3)包括至少一个沉积工位；设置在所述沉积室(3)一侧的气体供给系统(5)，用于将反应气体分别供给到相应的沉积工位上的基片的表面；部分地设置在所述沉积室(3)中以便对相应的沉积工位进行加热的加热装置(7)；以及设置在所述沉积室(3)另一侧的用于激发等离子体的回路(10)；其特征在于，所述等离子体增强化学气相沉积系统(1)还包括对所述用于激发等离子体的回路(10)进行温度控制的温度控制装置(17)。根据本实用新型，能够改善在基片上沉积的薄膜的特性。
基本信息
专利标题 ：
等离子体增强化学气相沉积系统
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920994978.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-28
授权号 ：
CN210458364U
授权日 ：
2020-05-05
发明人 ：
王家平霍冬冬
申请人 ：
英特尔半导体（大连）有限公司;英特尔公司
申请人地址 ：
辽宁省大连市经济技术开发区淮河东路
代理机构 ：
北京永新同创知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘兴鹏
优先权 ：
CN201920994978.2
主分类号 ：
C23C16/50
IPC分类号 ：
C23C16/50
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/44
以镀覆方法为特征的
C23C16/50
借助放电的
法律状态
2020-05-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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