多晶硅太阳能电池沉积氮化硅膜的方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种多晶硅太阳能电池沉积氮化硅膜的方法，属于太阳能电池生产技术领域。包括：制绒‑将硅片置于多晶制绒清洗机中，利用制绒液与硅片反应，在硅片表面织构化处理制备绒面；扩散‑将制绒后的硅片置入扩散炉，利用低压热扩散法，以液态三氯氧磷作为扩散磷源并通过氮气携带进入炉管，在硅片表面形成PN结；刻蚀‑将扩散后的硅片置入背抛光机台，利用刻蚀液与硅片反应，去除硅片在扩散过程中边缘及背面形成的N型层，并去除硅片正面的磷硅玻璃；镀膜‑将刻蚀后的硅片置入PECVD机台中，在500‑520℃，以石墨舟为载体，真空状态下，通过射频电源激发SiH4和NH3辉光放电产生等离子体，在硅片表面发生化学反应生成氮化硅膜。
基本信息
专利标题 ：
多晶硅太阳能电池沉积氮化硅膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114277356A
申请号 ：
CN202111590976.5
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-23
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
聂文君王路路王菲王晶穆晓超褚君凯李叶冀琼
申请人 ：
晋能清洁能源科技股份公司
申请人地址 ：
山西省吕梁市文水县经济开发区1号
代理机构 ：
山西晋扬知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
张学元
优先权 ：
CN202111590976.5
主分类号 ：
C23C16/34
IPC分类号 ：
C23C16/34 C23C16/505 C23C16/02 C30B33/10 C30B31/08 C30B29/06 H01L31/0236 H01L31/18
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/34
氮化物
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/34
申请日 : 20211223
申请日 : 20211223
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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