用于氮化硅沉积的硅前体
公开
摘要
本公开涉及通过等离子体增强循环沉积过程在衬底上沉积氮化硅的气相沉积组件。本公开还涉及通过等离子体增强循环沉积过程在衬底上沉积氮化硅的方法。该方法包括在反应室中提供衬底，将根据式SiH3X的气相硅前体提供到反应室中，其中X是碘或溴，从反应室中去除过量的硅前体和可能的反应副产物，以及将由含氮等离子体产生的反应性物种提供到反应室中，以在衬底上形成氮化硅。本公开还涉及由该方法形成的结构和器件。
基本信息
专利标题 ：
用于氮化硅沉积的硅前体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114606477A
申请号 ：
CN202111464475.2
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2021-12-03
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
C.德泽拉福田秀明V.波雷
申请人 ：
ASMIP私人控股有限公司
申请人地址 ：
荷兰阿尔梅勒
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
焦玉恒
优先权 ：
CN202111464475.2
主分类号 ：
C23C16/34
IPC分类号 ：
C23C16/34 C23C16/455 H01L21/02
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/34
氮化物
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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