聚合物材料的沉积及用于其的前体
发明专利申请公布后的视为撤回
摘要
取代的对环芳烷尤其可作为前体用于在沉积基片如被加工的电子器件上形成可交联聚合物。具有诸如炔基之类的可交联取代基的对环芳烷前体在苯基键合处裂解。该基片经裂解的前体处理。结果，有机聚合物在该基片上形成。通过可交联取代基的反应，例如热诱导反应使聚合物交联生成热稳定的交联聚合物。沉积此类交联聚合物特别可用于密封在集成电路生产的镶嵌工艺中所采用的超低k介电材料。或者，该聚合物作为在晶片－晶片粘合中的粘合剂也是有利的。或者，该聚合物可用作硬掩模，以取代电子器件的线路背部端面(back－end－of－the－line)处理中的氮化硅和碳化硅。
基本信息
专利标题 ：
聚合物材料的沉积及用于其的前体
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN101124351A
申请号 ：
CN200680001045.4
公开（公告）日 ：
2008-02-13
申请日 ：
2006-03-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
J·J·森科维奇
申请人 ：
布鲁尔科技公司
申请人地址 ：
美国密苏里州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
项丹
优先权 ：
CN200680001045.4
主分类号 ：
C23C16/00
IPC分类号 ：
C23C16/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
法律状态
2008-12-03 ：
发明专利申请公布后的视为撤回
2008-02-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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