沉积方法
公开
摘要
根据本发明，提供一种从靶溅射沉积含有添加剂元素的含添加剂氮化铝膜的方法，所述添加剂元素选自：钪(Sc)、钇(Y)、钛(Ti)、铬(Cr)、镁(Mg)及铪(Hf)，所述方法包括以下步骤：在腔室中提供其上具有金属层的半导体衬底；及通过所述靶的脉冲DC反应性溅射将所述含添加剂氮化铝膜沉积到所述金属层上；其中沉积所述含添加剂氮化铝膜的所述步骤包括以以sccm为单位的流速将包括氮气及惰性气体的气体混合物引入到所述腔室中，其中以sccm为单位的所述气体混合物的所述流速包括以sccm为单位的氮气流速，且其中以sccm为单位的所述氮气流速小于或等于以sccm为单位的所述气体混合物的所述流速的约50％，且也足以使所述靶完全中毒。
基本信息
专利标题 ：
沉积方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114262867A
申请号 ：
CN202111038008.3
公开（公告）日 ：
2022-04-01
申请日 ：
2021-09-06
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S·海默尔A·托马斯T·威尔比
申请人 ：
SPTS科技有限公司
申请人地址 ：
英国新港
代理机构 ：
北京律盟知识产权代理有限责任公司
代理人 ：
章蕾
优先权 ：
CN202111038008.3
主分类号 ：
C23C14/06
IPC分类号 ：
C23C14/06 C23C14/14 C23C14/34
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/06
以镀层材料为特征的
法律状态
2022-04-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
