溅射沉积的方法和设备
实质审查的生效
摘要
一种溅射沉积系统的反应离子源。该反应离子源包括：电驱动天线、外壳、入口以及外壳的出口，其中天线具有基本上细长的形状，外壳至少部分地围绕天线，入口用于将反应气体供应到外壳中，出口配置为使得反应离子能够穿过该出口。天线配置为将电磁场施加到反应气体，使得形成包括反应离子的等离子体。
基本信息
专利标题 ：
溅射沉积的方法和设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318273A
申请号 ：
CN202111134030.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
M.E.伦德尔
申请人 ：
戴森技术有限公司
申请人地址 ：
英国威尔特郡
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
张邦帅
优先权 ：
CN202111134030.8
主分类号 ：
C23C14/46
IPC分类号 ：
C23C14/46 C23C14/35 C23C14/48 C23C14/06 H01M10/04
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/46
用外部离子源产生的离子束法
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/46
申请日 : 20210927
申请日 : 20210927
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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