溅射沉积设备及方法
实质审查的生效
摘要
一种溅射沉积设备，用于将溅射材料从溅射靶溅射到基底上。该溅射沉积设备包括包含多个螺旋等离子体源的螺旋等离子体源阵列。每个螺旋等离子体源包括射频(RF)天线，其布置为由电流驱动，以便产生在发射方向上远离天线传播的螺旋波，并由此在等离子体产生区域中产生等离子体。
基本信息
专利标题 ：
溅射沉积设备及方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318259A
申请号 ：
CN202111119888.7
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-24
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S.高特
申请人 ：
戴森技术有限公司
申请人地址 ：
英国威尔特郡
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
张邦帅
优先权 ：
CN202111119888.7
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20210924
申请日 : 20210924
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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