用于卷对卷磁控溅射设备和化学气相沉积设备的连接装置
授权
摘要
本实用新型公开了一种用于卷对卷磁控溅射设备和化学气相沉积设备的连接装置。所述的连接装置包括与卷对卷磁控溅射设备对接的出样腔、用于连接两台设备的石英管和与化学气相沉积设备对接的进样腔，出样腔的一端连接到卷对卷磁控溅射设备的出口端，出样腔的另一端经石英管和进样腔的一端连接相通，进样腔的另一端连接到化学气相沉积设备的入口端，出样腔、石英管、进样腔的内部均包含一条连通的传输履带。本实用新型实现了磁控溅射和化学气相沉积的连续化生产，生产效率高，克服了现有技术生产效率低，不能实现自动化的缺点。
基本信息
专利标题 ：
用于卷对卷磁控溅射设备和化学气相沉积设备的连接装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920872925.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-06-11
授权号 ：
CN210176940U
授权日 ：
2020-03-24
发明人 ：
汪小知张亮沈龙胡海洋
申请人 ：
杭州英希捷科技有限责任公司
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山经济技术开发区启迪路198号A-B102-1141室
代理机构 ：
杭州求是专利事务所有限公司
代理人 ：
林超
优先权 ：
CN201920872925.3
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/56 C23C16/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-03-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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