一种膜层沉积腔室及磁控溅射设备
授权
摘要
本实用新型公开了一种膜层沉积腔室及磁控溅射设备，内部适于通过载板并对载板上的工件进行成膜，还包括壳体、观察窗和挡板，所述壳体上设置有所述观察窗，所述观察窗用于提供观察所述载板的窗口，所述壳体的内部和外部均设置有所述挡板，所述挡板用于遮挡所述观察窗，所述挡板包括第一挡板和第二挡板；本实用新型中，在壳体上设置有观察窗，在观察窗的内侧和外侧设置有挡板，通过设置第一挡板的遮挡，使腔室在用于进行磁控溅射时，靶材材料、灰尘及其他杂质不容易落在观察窗上，在壳体的外部铰接第二挡板，通过第二挡板使观察窗的外部选择性的遮挡，从而改善了观察窗内部和外部容易被污染的问题果。
基本信息
专利标题 ：
一种膜层沉积腔室及磁控溅射设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122431747.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-10-10
授权号 ：
CN216639631U
授权日 ：
2022-05-31
发明人 ：
张松林张斌
申请人 ：
成都超迈光电科技有限公司
申请人地址 ：
四川省成都市龙泉驿区车城西二路288号派瑞国际4栋8楼
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202122431747.0
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/52 C23C14/56
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-05-31 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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