用于受控沉积的腔室配置
实质审查的生效
摘要
示例性半导体处理腔室可包括喷头。腔室还可包括基板支撑件，基板支撑件的特征在于面向喷头的第一表面。第一表面可经配置以支撑半导体基板。基板支撑件可限定在第一表面内居中的凹穴。凹穴可由外部径向壁所限定，外部径向壁的特征在于，与凹穴内的第一表面相距的高度大于或约为半导体基板的厚度的150％。
基本信息
专利标题 ：
用于受控沉积的腔室配置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114375486A
申请号 ：
CN202080064017.7
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2020-08-12
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S·S·阿迪帕利陈玥蒋志钧S·斯里瓦斯塔瓦N·S·乔拉普尔D·R·B·拉杰G·奇可卡诺夫Q·马A·凯什里韩新海G·巴拉苏布拉马尼恩D·帕德希
申请人 ：
应用材料公司
申请人地址 ：
美国加利福尼亚州
代理机构 ：
上海专利商标事务所有限公司
代理人 ：
付尉琳
优先权 ：
CN202080064017.7
主分类号 ：
H01J37/20
IPC分类号 ：
H01J37/20 H01J37/32 H01L21/02 H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01J
放电管或放电灯
H01J37/00
有把物质或材料引入使受到放电作用的结构的电子管，例如为了对其检验或加工的
H01J37/02
零部件
H01J37/20
物体或材料的支承或定位装置；与支架相联的光阑或透镜的调整装置
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01J 37/20
申请日 : 20200812
申请日 : 20200812
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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