用于受控形成含氧薄膜的等离子体增强沉积方法
授权
摘要
提供了用于在反应空间中的衬底上控制含氧薄膜诸如碳氧化硅(SiOC)和碳氮氧化硅(SiOCN)薄膜的形成的方法。所述方法可以包括至少一个等离子体增强原子层沉积(PEALD)循环，所述循环包括使所述衬底与包含氧的硅前体和不含氧的第二反应物交替且依次地接触。在一些实施方案中，可以从一定范围中选择所述等离子体功率以实现沉积在三维特征上的膜的期望的阶梯覆盖率或湿法蚀刻速率比(WERR)。
基本信息
专利标题 ：
用于受控形成含氧薄膜的等离子体增强沉积方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110546302A
申请号 ：
CN201880026593.5
公开（公告）日 ：
2019-12-06
申请日 ：
2018-05-03
授权号 ：
CN110546302B
授权日 ：
2022-05-27
发明人 ：
L·贾V·J·鲍尔M·图米恩S·J·吉姆O·马迪亚
申请人 ：
ASMIP控股有限公司
申请人地址 ：
荷兰，阿尔梅勒
代理机构 ：
北京纪凯知识产权代理有限公司
代理人 ：
王永伟
优先权 ：
CN201880026593.5
主分类号 ：
C23C16/32
IPC分类号 ：
C23C16/32 C23C16/40 C23C16/44 H01L21/02 C30B29/34 C30B29/36
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IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16/00
通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆，例如化学气相沉积工艺
C23C16/22
以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C16/30
沉积化合物、混合物或固溶体，例如硼化物、碳化物、氮化物
C23C16/32
碳化物
法律状态
2022-05-27 ：
授权
2019-12-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 16/32
申请日 : 20180503
申请日 : 20180503
2019-12-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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