溅射沉积设备和方法
实质审查的生效
摘要
一种用于将溅射材料从溅射靶溅射到基底上的溅射沉积设备。该溅射沉积设备包括具有射频(RF)天线的等离子体天线组件，天线布置成由电流驱动，以便在等离子体产生区域中产生等离子体。等离子体天线组件配置为螺旋等离子体源，用于产生沿发射方向远离天线传播的螺旋波。天线在横向于发射方向的纵向方向上是细长的。包括一个或多个磁体的限制装置配置成将远离等离子体天线组件的等离子体限制成沿天线的纵向方向横向延伸的片。
基本信息
专利标题 ：
溅射沉积设备和方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318261A
申请号 ：
CN202111140928.6
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S.M.卡利
申请人 ：
戴森技术有限公司
申请人地址 ：
英国威尔特郡
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
张邦帅
优先权 ：
CN202111140928.6
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/56 H01J37/32 H01J37/34
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20210928
申请日 : 20210928
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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