靶材利用率改善型溅射源及气相沉积设备
授权
摘要
本实用新型揭示了靶材利用率改善型溅射源及气相沉积设备，其中靶材利用率改善型溅射源包括支柱，所述支柱上共轴设置有磁体座，所述磁体座上设置有磁体，所述支柱的外周共轴且间隙设置有可相对其自转的旋转套，所述旋转套上共轴设置有套装在磁体座外周且与磁体座保持间隙的靶材固定套，所述靶材固定套上设置有靶材。本方案设计精巧，采用使靶材转动，磁体不转动的方式来代替现有的靶材固定，磁体转动的方式，改变了惯用思维方式，可以使靶材的各区域能够被均匀的轰击，从而有效的提高靶材的利用率，避免靶材的浪费，降低生产成本；同时适用于圆环形的靶材的使用，能够有效的提高工作效率。
基本信息
专利标题 ：
靶材利用率改善型溅射源及气相沉积设备
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921337272.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-16
授权号 ：
CN210974857U
授权日 ：
2020-07-10
发明人 ：
钱涛钱政羽吴其涛
申请人 ：
星弧涂层新材料科技(苏州)股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市工业园区星华产业园5号楼
代理机构 ：
南京艾普利德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
陆明耀
优先权 ：
CN201921337272.5
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2020-07-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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