用于溅射沉积的方法和装置
实质审查的生效
摘要
公开了一种在表面上制造材料层的方法。该方法包括螺旋等离子体源在等离子体产生区中并且沿着等离子体产生轴线产生远离至少一个溅射靶的等离子体的步骤。螺旋等离子体源包括(a)一个或多个天线和(b)被布置成产生靠近磁体的磁场的一个或多个永磁体，该磁场沿着等离子体产生轴线并在等离子体产生区中。等离子体导致材料从溅射靶喷射。该方法包括将从溅射靶喷射的材料沉积到基底的表面上或由基底支撑的表面上以在表面上形成材料层的步骤。
基本信息
专利标题 ：
用于溅射沉积的方法和装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114318260A
申请号 ：
CN202111134658.8
公开（公告）日 ：
2022-04-12
申请日 ：
2021-09-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
S.高特
申请人 ：
戴森技术有限公司
申请人地址 ：
英国威尔特郡
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
张邦帅
优先权 ：
CN202111134658.8
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 H01J37/32
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-04-29 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20210927
申请日 : 20210927
2022-04-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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