一种用于ta-C膜沉积的磁控溅射生成碳离子的方法及ta-...
实质审查的生效
摘要
本发明属于真空镀膜技术领域，具体涉及一种用于ta‑C膜沉积的磁控溅射生成碳离子的方法及ta‑C膜沉积方法。本发明通过在磁控溅射产生碳离子的组件中采用两个相对设置的第一靶材，当等离子体中的粒子轰击第一靶材，形成的碳离子和碳颗粒向两个第一靶材中间的区域运动，碳离子在电磁场的作用下，离开溅射区，进入到磁场导向区，通过离子出口进入真空腔室，进行沉积，而绝大多数不带电的碳颗粒保留在溅射区，进一步与等离子体中的粒子碰撞形成碳离子，本发明既能大大减少沉积区域的碳颗粒数量，同时不影响沉积速度。
基本信息
专利标题 ：
一种用于ta-C膜沉积的磁控溅射生成碳离子的方法及ta-C膜沉积方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114481064A
申请号 ：
CN202111651523.9
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郎文昌杜昊郑仕科黄志宏纪忠宝陈智杰胡晓忠
申请人 ：
温州职业技术学院
申请人地址 ：
浙江省温州市瓯海区东方南路38号温州市国家大学科技园孵化器
代理机构 ：
温州名创知识产权代理有限公司
代理人 ：
朱海晓
优先权 ：
CN202111651523.9
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35 C23C14/14 C23C14/06
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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