一种物理气相沉积用磁控溅射装置
授权
摘要
本实用新型提供的物理气相沉积用磁控溅射装置通过在磁控溅射装置底座上沿径向交错、均匀布置偶数数量的条形永磁铁，使得相邻的两个条形永磁铁两端的磁力线闭合，有利于束缚腔室内的电子，形成更多的等离子，增加溅射效率；通过设置磁铁调节机构调整条形永磁铁在径向上的位置，使得靶材上磁感应强度分布更均匀，靶材被均匀溅射，提高靶材使用率；通过在磁控溅射装置边缘设置上方为S极、下方为N极的环形永磁铁，增强装置边缘的磁感应强度，有效束缚靶材边缘的电子，使靶材边缘与中间的溅射速度相同进而提升靶材使用率，提升基片上薄膜的均匀性。靶材利用率从30％提升到约60％，降低了成本；基片薄膜的均匀性从约3％提升到约0.8％，提升了产品的稳定性。
基本信息
专利标题 ：
一种物理气相沉积用磁控溅射装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123081991.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-09
授权号 ：
CN216712226U
授权日 ：
2022-06-10
发明人 ：
罗正勇金補哲
申请人 ：
盛吉盛（宁波）半导体科技有限公司
申请人地址 ：
浙江省宁波市鄞州区云龙镇石桥村
代理机构 ：
上海市汇业律师事务所
代理人 ：
王函
优先权 ：
CN202123081991.5
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-06-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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