弧光离子源增强磁控溅射装置
专利权的终止
摘要
本实用新型涉及一种弧光离子源增强中频磁控溅射装置,用于硬质保护涂层的快速制备。本装置由真空室、磁控溅射装置、弧光离子源和基片架构成,磁控靶垂直安装于真空室侧面,配备有大功率中频开关电源,背面通有循环冷却水;弧光离子源阴极灯丝置于真空室的顶部,阴极灯丝由一个交流电源为灯丝供电,同时接弧电源的阴极,旋转基片架的转轴位于真空室中心,基片竖直放置,基片架下安置电极板,与弧电源的阳极相连接。使用本装置镀膜分为离子清洗和气相沉积两个过程。本装置充分发挥了弧光离子源和磁控溅射的优点,沉积速度快、表面光洁度好,最适合用于氮化铬等硬质保护涂层的快速制备,属于环境友好型替代电镀铬的装置,生产过程无污染。
基本信息
专利标题 :
弧光离子源增强磁控溅射装置
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
暂无
申请号 :
CN200820065576.6
公开(公告)日 :
暂无
申请日 :
2008-01-31
授权号 :
CN201169620Y
授权日 :
2008-12-24
发明人 :
余益飞杨兵黎明付德君
申请人 :
武汉新铬涂层设备有限公司
申请人地址 :
430072湖北省武汉市武昌华光大道8号3-402
代理机构 :
武汉华旭知识产权事务所
代理人 :
江钊芳
优先权 :
CN200820065576.6
主分类号 :
C23C14/35
IPC分类号 :
C23C14/35 C23C14/46
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的,例如磁控溅射
法律状态
2011-04-20 :
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101063888275
IPC(主分类) : C23C 14/35
专利号 : ZL2008200655766
申请日 : 20080131
授权公告日 : 20081224
终止日期 : 20100131
号牌文件序号 : 101063888275
IPC(主分类) : C23C 14/35
专利号 : ZL2008200655766
申请日 : 20080131
授权公告日 : 20081224
终止日期 : 20100131
2008-12-24 :
授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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