一种用于磁控溅射镀膜设备的离子源
授权
摘要
本实用新型提供了一种用于磁控溅射镀膜设备的离子源，包括第一法兰板、放电组件、安装于第一法兰板上的进气管及接电杆，第一法兰板安装于磁控溅射镀膜设备的真空腔室上，放电组件安装于第一法兰板上并位于真空腔室内，进气管、接电杆分别与第一法兰板密封连接；本实用新型提供的离子源，其中的进气管为直通式，连接简便可靠；其中的接电极独立单个可分拆，便于维护和更换；其中的磁控机构，采用多层磁柱机构，可自由单配组合，能形成更优的磁场，使离子源能产生更大更稳定的束流。
基本信息
专利标题 ：
一种用于磁控溅射镀膜设备的离子源
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202122682446.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-11-04
授权号 ：
CN216237252U
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
高彪田杰成
申请人 ：
湖南艾科威智能装备有限公司
申请人地址 ：
湖南省长沙市望城经济技术开发区普瑞西路南侧金桥市场集群2区4栋16层1614号
代理机构 ：
长沙心智力知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
张洪敏
优先权 ：
CN202122682446.5
主分类号 ：
C23C14/35
IPC分类号 ：
C23C14/35
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的，例如磁控溅射
法律状态
2022-04-08 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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