离子源安装结构及离子源装置

授权

摘要

本申请涉及一种离子源安装结构和离子源装置，应用于离子源装置上，所述离子源装置包括至少一个霍尔离子源和至少一个中空阴极；所述中空阴极设于距离所述霍尔离子源一设定位置处，为所述霍尔离子源提供中和电子；该安装结构包括：离子源底座、角度调节机构和基座；所述霍尔离子源安装在离子源底座上，所述离子源底座通过角度调节机构安装在基座上，所述离子源底座通过角度调节机构进行转动，以调整霍尔离子源的发射角度。通过本申请的技术方案，可以根据镀膜需求来调整霍尔离子源的角度，从而可以提升离子源覆盖效果，提高使用效率。

基本信息

专利标题：

离子源安装结构及离子源装置

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202021770259.1

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-08-21

授权号：

CN212659506U

授权日：

2021-03-05

发明人：

刘伟基吴秋生冀鸣易洪波赵刚

申请人：

中山市博顿光电科技有限公司;佛山市博顿光电科技有限公司

申请人地址：

广东省中山市火炬开发区科技东路39号之二219、220室

代理机构：

北京市立方律师事务所

代理人：

刘延喜

优先权：

CN202021770259.1

主分类号：

H01J27/02

IPC分类号：

H01J27/02 H01J27/14