一种结合磁控溅射的离子注入方法
实质审查的生效
摘要
本发明提供一种结合磁控溅射的离子注入方法,属于离子注入技术领域,本发明中电子发生装置产生的电子与通入气体碰撞,产生气体离子轰击曲面靶材产生金属靶材原子和离子,带正电的金属离子在电磁场的作用下导向离子引出组件形成离子束进入到质量分析装置,再通过质量分析装置对离子束进行提纯,然后由加速管进行加速导入聚焦系统,之后通过偏转扫描系统对工作靶室内存放的工件进行均匀的离子注入,而绝大多数不带电的颗粒保留在溅射区,进一步与气体离子碰撞形成带正电的金属离子,本发明通过双重筛选大大减少注入区域的颗粒数量,同时不影响注入速度,而且结构布局合理。
基本信息
专利标题 :
一种结合磁控溅射的离子注入方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114540777A
申请号 :
CN202210033049.1
公开(公告)日 :
2022-05-27
申请日 :
2022-01-12
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
郎文昌蒋慧珍张慧刘艳杰赵涣波陈盛旭林振宇任肖炜
申请人 :
温州瑞明工业股份有限公司
申请人地址 :
浙江省温州市瑞安市国际汽摩配工业园区
代理机构 :
温州名创知识产权代理有限公司
代理人 :
朱海晓
优先权 :
CN202210033049.1
主分类号 :
C23C14/35
IPC分类号 :
C23C14/35 C23C14/48
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C23
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/35
利用磁场的,例如磁控溅射
法律状态
2022-06-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/35
申请日 : 20220112
申请日 : 20220112
2022-05-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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