离子注入局部补偿集电区的方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本发明提供了一种可有效减小双极晶体管集电结电容的新方法，即对器件外基区下对应的外延层区域进行高能离子注入，通过杂质补偿达到减小集电结电容的目的、本发明用于硅双极器件，不影响晶体管的静态特性，能明显改善晶体管的频率特性；用于超高速硅双极集成电路，可使电路速度大大提高。
基本信息
专利标题 ：
离子注入局部补偿集电区的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1077569A
申请号 ：
CN93102116.2
公开（公告）日 ：
1993-10-20
申请日 ：
1993-03-04
授权号 ：
CN1028192C
授权日 ：
1995-04-12
发明人 ：
张利春钱钢何美华王阳元赵渭江
申请人 ：
北京大学
申请人地址 ：
100871北京市海淀区中关村
代理机构 ：
北京大学专利事务所
代理人 ：
张平
优先权 ：
CN93102116.2
主分类号 ：
H01L21/322
IPC分类号 ：
H01L21/322 H01L21/328 H01L21/82 H01L27/02 H01L29/70
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/322
改善其内部性能的，例如产生内部缺陷
法律状态
2001-05-02 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1995-04-12 ：
授权
1993-10-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN1077569A.PDF
PDF下载
2、
CN1028192C.PDF
PDF下载
