NPN型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型公开了NPN型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件及制备方法，从下往上依次包括：衬底、埋氧层、集电区、基区以及发射区，所述集电区包括下层的N型单晶硅层以及上层的TiSi2层，所述基区包括P型GaN层，所述发射区包括N型AlGaN层以及位于其上的N型GaN帽层；所述N型单晶硅层上设有集电极，所述基区设有基极，所述GaN帽层上设有发射极。本实用新型接触界面特性好，可提高器件开关速度和截止频率。
基本信息
专利标题 ：
NPN型肖特基集电区AlGaN/GaN HBT器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922274451.5
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-17
授权号 ：
CN210110779U
授权日 ：
2020-02-21
发明人 ：
李迈克
申请人 ：
中证博芯（重庆）半导体有限公司
申请人地址 ：
重庆市草街街道嘉合大道500号
代理机构 ：
重庆中之信知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
霍维英
优先权 ：
CN201922274451.5
主分类号 ：
H01L29/737
IPC分类号 ：
H01L29/737 H01L29/06
法律状态
2020-06-30 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/737
登记生效日 : 20200610
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中证博芯（重庆）半导体有限公司
变更后权利人 : 中合博芯（重庆）半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 401520 重庆市草街街道嘉合大道500号
变更后权利人 : 401573 重庆市合川区信息安全产业城草街街道嘉合大道500号
登记生效日 : 20200610
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中证博芯（重庆）半导体有限公司
变更后权利人 : 中合博芯（重庆）半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 401520 重庆市草街街道嘉合大道500号
变更后权利人 : 401573 重庆市合川区信息安全产业城草街街道嘉合大道500号
2020-02-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
