一种台面型肖特基集电区NPN SiGe HBT器件
专利申请权、专利权的转移
摘要
本实用新型提供一种台面型肖特基集电区NPN SiGe HBT器件，包括N型轻掺杂单晶硅衬底，N型轻掺杂单晶硅衬底表面顺序层叠有N型重掺杂单晶硅层、金属硅化物薄层、P型重掺杂Si1‑xGex基区层、N型掺杂单晶硅发射区帽层和N型重掺杂多晶硅发射区层，N型重掺杂多晶硅发射区层至N型掺杂单晶硅发射区帽层刻蚀形成有发射区电极接触台面和基区电极接触台面，N型重掺杂多晶硅发射区层至金属硅化物薄层刻蚀形成有集电区电极接触台面，台面结构表面覆盖有氧化层，电极窗口形成有对应金属电极，基区电极接触区域里沉积有P型重掺杂β‑Si1‑yCy。本申请能提高器件截止频率和增益并减小基区渡越时间且能与常规硅基工艺相兼容。
基本信息
专利标题 ：
一种台面型肖特基集电区NPN SiGe HBT器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921934633.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-11
授权号 ：
CN209947843U
授权日 ：
2020-01-14
发明人 ：
李迈克
申请人 ：
中证博芯（重庆）半导体有限公司
申请人地址 ：
重庆市合川区草街街道嘉合大道500号
代理机构 ：
重庆信航知识产权代理有限公司
代理人 ：
穆祥维
优先权 ：
CN201921934633.4
主分类号 ：
H01L29/737
IPC分类号 ：
H01L29/737 H01L29/06 H01L29/08 H01L21/331
法律状态
2020-02-18 ：
专利申请权、专利权的转移
专利权的转移IPC(主分类) : H01L 29/737
登记生效日 : 20200123
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中证博芯（重庆）半导体有限公司
变更后权利人 : 中合博芯(重庆)半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 401573 重庆市合川区草街街道嘉合大道500号
变更后权利人 : 401573 重庆市合川区信息安全产业城草街街道嘉合大道500号
登记生效日 : 20200123
变更事项 : 专利权人
变更前权利人 : 中证博芯（重庆）半导体有限公司
变更后权利人 : 中合博芯(重庆)半导体有限公司
变更事项 : 地址
变更前权利人 : 401573 重庆市合川区草街街道嘉合大道500号
变更后权利人 : 401573 重庆市合川区信息安全产业城草街街道嘉合大道500号
2020-01-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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