一种肖特基器件结构
授权
摘要
本实用新型提供一种肖特基器件结构，包括衬底材料，包括衬底材料包括衬底和外延层，外延层设于衬底的一侧面上，以及沟槽，光刻形成于外延层上；PN结，离子注入形成于沟槽的侧壁上，且PN结对称设于沟槽的侧壁上；氧化层，覆盖于沟槽表面；势垒金属，沉淀形成于势垒区上；正面金属，沉淀形成于势垒金属与氧化层上。本实用新型的有益效果是可以省去一次光刻，缩小终端结构尺寸，扩大肖特基接触面积，为有效改善器件功耗提供途径；工艺流程上可以减少一次光刻，简化工艺流程，降低生产成本。
基本信息
专利标题 ：
一种肖特基器件结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921026802.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-03
授权号 ：
CN210110785U
授权日 ：
2020-02-21
发明人 ：
乐春林王万礼刘闯陈海洋杜晓辉刘文彬
申请人 ：
天津环鑫科技发展有限公司
申请人地址 ：
天津市滨海新区华苑产业区（环外）海泰东路12号A座二层
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN201921026802.4
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/47
法律状态
2020-02-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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