合并式PiN肖特基器件和电子器件
授权
摘要
本公开涉及合并式PiN肖特基器件和电子器件。一种MPS器件包括：第一导电性的SiC衬底；第一导电性的SiC漂移层，在衬底上延伸；第二导电性的第一注入区域，在漂移层中延伸；第二导电性的第二注入区域，在漂移层中延伸；在第一注入区域中的第一欧姆接触部；在第二注入区域中的第二欧姆接触部；第一JB二极管，在漂移层的第一表面和第一注入区域处；第二JB二极管，在第一表面和第二注入区域处；以及第一电端子，在第一和第二注入区域处与第一表面欧姆接触；第一肖特基二极管，在第一与第二注入区域之间的漂移层处，MPS器件的击穿电压大于或等于MPS器件在抑制状态下的最大工作电压的115％。通过本公开的实施例，MPS器件允许晶片区的最优使用和改进的电性能。
基本信息
专利标题 ：
合并式PiN肖特基器件和电子器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202121706840.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-07-26
授权号 ：
CN216597601U
授权日 ：
2022-05-24
发明人 ：
S·拉斯库纳M·G·萨吉奥
申请人 ：
意法半导体股份有限公司
申请人地址 ：
意大利阿格拉布里安扎
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
董莘
优先权 ：
CN202121706840.1
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/06 H01L27/08 H01L21/329
法律状态
2022-05-24 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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