一种肖特基终端结构
授权
摘要
本实用新型提供一种肖特基终端结构，包括衬底材料，衬底材料包括衬底和外延层，外延层设于衬底一侧；以及沟槽，通过刻蚀形成于外延层上；场限环，通过离子注入形成于沟槽侧壁上；氧化层，设于沟槽侧壁、沟槽底部及沟槽拐角处；势垒金属，通过沉积形成于外延层上；正面金属，通过沉积形成于势垒金属与氧化层上。本实用新型的有益效果是具有场限环、沟槽、接触孔自对准结构，实现两层光刻制造肖特基器件，减小终端耐压结构的尺寸，相同电压等级下终端尺寸相比常规设计要小，有效提升芯片面积的利用率。
基本信息
专利标题 ：
一种肖特基终端结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921027617.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-03
授权号 ：
CN210110775U
授权日 ：
2020-02-21
发明人 ：
王万礼宋楠乐春林刘文彬陈海洋刘闯刘晓芳徐长坡
申请人 ：
天津环鑫科技发展有限公司
申请人地址 ：
天津市滨海新区华苑产业区（环外）海泰东路12号A座二层
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN201921027617.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/40
法律状态
2020-02-21 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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