带边缘终端的金刚石肖特基二极管的制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种带边缘终端的金刚石肖特基二极管的制备方法，包括：在高掺杂p型金刚石衬底上外延轻掺杂p型金刚石外延层；选择性外延掩膜的制作；轻掺杂p型金刚石外延层；n型氧化镓外延层的生长；氧化镓外延层的剥离；背面欧姆接触的制备；正面肖特基电极的制备。本发明针对现有金刚石肖特基二极管由于肖特基电极边缘的电场聚集效应导致器件击穿电压下降的问题，基于n型氧化镓选择性延生长技术，提出一种带n型保护环和场限环的金刚石肖特基二极管的制备方法，具有肖特基边缘峰值电场抑制能力强，器件击穿电压高，高温稳定性好等优点。
基本信息
专利标题 ：
带边缘终端的金刚石肖特基二极管的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114530487A
申请号 ：
CN202111662487.6
公开（公告）日 ：
2022-05-24
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
郁鑫鑫周建军吴云孔月婵
申请人 ：
南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市秦淮区永智路6号南京白下高新技术产业园区四号楼1006室
代理机构 ：
南京理工大学专利中心
代理人 ：
陈鹏
优先权 ：
CN202111662487.6
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/16 H01L21/329 H01L29/872
法律状态
2022-06-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-05-24 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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