高压SiC肖特基二极管的结终端结构及其制备方法
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摘要
本发明公开了一种高压SiC肖特基二极管的结终端结构及其制备方法，包括第一金属电极层、N+型衬底、N‑型漂移区、N型沟道和N型保护环；相邻N型沟道之间的N‑型漂移区内设有源区P+型保护环，相邻N型保护环之间的N‑型漂移区内设有终端P+型保护环，相邻N型沟道和N型保护环之间设有过渡区，相邻的N型沟道之间、N型过渡区和N型保护环之间、相邻N型保护环之间都为沟槽；本发明同时形成有源区肖特基金属下的沟道区域和终端区嵌入钝化层的N型保护环结构，能够在重复雪崩、高温高压、长时间老化等极端应力下保持稳定的阻断电压而不发生漂移，且提高器件可靠性的同时不牺牲器件其他电学参数。
基本信息
专利标题 ：
高压SiC肖特基二极管的结终端结构及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN113161408A
申请号 ：
CN202011588662.7
公开（公告）日 ：
2021-07-23
申请日 ：
2020-12-28
授权号 ：
CN113161408B
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
邓小川胡睿吴昊刘瑞姜春艳严静融张波
申请人 ：
全球能源互联网研究院有限公司;电子科技大学
申请人地址 ：
北京市昌平区未来科技城滨河大道18号
代理机构 ：
成都点睛专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
敖欢
优先权 ：
CN202011588662.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L29/872 H01L21/329
法律状态
2022-06-07 ：
授权
2021-08-10 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20201228
申请日 : 20201228
2021-07-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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