无注入终端的SIC肖特基二极管及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开无注入终端的SIC肖特基二极管及其制备方法，该SIC肖特基二极管包括N+衬底，N+衬底上生长有N‑外延，N‑外延上有肖特基接触金属及其上方的正面金属电极，N+衬底背面的欧姆接触金属。肖特基势垒的终端设有环形终端沟槽，终端沟槽内设有二氧化硅侧壁，终端沟槽内用多晶填充，正面金属电极边缘设有二氧化硅场板。本发明使用沟槽方式终止肖特基源区，使得终端截止不再依赖反型注入，降低了成本及工艺复杂程度，同时改善了终端电场局部集聚效应。
基本信息
专利标题 ：
无注入终端的SIC肖特基二极管及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114284341A
申请号 ：
CN202111562829.7
公开（公告）日 ：
2022-04-05
申请日 ：
2021-12-20
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
冉飞荣盛况任娜王珩宇
申请人 ：
浙江大学杭州国际科创中心
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区建设三路733号
代理机构 ：
杭州裕阳联合专利代理有限公司
代理人 ：
高明翠
优先权 ：
CN202111562829.7
主分类号 ：
H01L29/06
IPC分类号 ：
H01L29/06 H01L21/329 H01L29/872
法律状态
2022-04-22 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/06
申请日 : 20211220
申请日 : 20211220
2022-04-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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