具有浪涌防护功能的肖特基结构
授权
摘要
本实用新型提供一种具有浪涌防护功能的肖特基结构，其包括N型衬底、肖特基势垒层、P++扩散层、表面结构、阴极电极和P+分压环，肖特基势垒层设置在N型衬底一端中部，P++扩散层呈环状，设置在肖特基势垒层外侧，表面结构设置在肖特基势垒层一端，用于芯片封装焊接，阴极电极设置在N型衬底一端，用于封装电极焊接导电，P+分压环设置在N型衬底一端，呈环状，且位于P++扩散层外侧。本实用新型的具有浪涌防护功能的肖特基结构，相当于在肖特基势垒结四周有一圈单向TVS对肖特基势垒结进行保护，P+分压环可以降低肖特基的表面电场集中，提高了肖特基结构的击穿电压，提高了对电路的保护能力，增加了产品的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
具有浪涌防护功能的肖特基结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022145705.6
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-09-25
授权号 ：
CN212848416U
授权日 ：
2021-03-30
发明人 ：
刘宗贺
申请人 ：
深圳长晶微电子有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市龙岗区布吉街道文景社区广场路中安大厦1803-11
代理机构 ：
深圳市宏德雨知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
李捷
优先权 ：
CN202022145705.6
主分类号 ：
H01L29/872
IPC分类号 ：
H01L29/872 H01L29/06
法律状态
2021-03-30 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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