一种基于气体团簇离子束溅射的薄膜沉积方法
授权
摘要
本发明提供了一种基于气体团簇离子束溅射的薄膜沉积方法，将气体团簇离子束的产生过程和靶材的溅射过程分开，无气体杂质的污染，溅射出的靶材材料直接沉积为薄膜，提高了薄膜的纯度；气体团簇离子束的能量介于3‑20keV，使得靶材材料溅射率高，薄膜沉积率高，使用目标薄膜材料制成靶材，且气体团簇离子束中的单原子能量很低，不至于熔化靶材，尤其适用于制备熔点低于200℃的低熔点、多元素组分的固体电解质薄膜；环绕靶材设置2个以上的衬底，一次性沉积2个以上的薄膜，耗时短，薄膜沉积效率高；制膜条件严格可控，重复性好，形成的薄膜纯度高、均匀可控，厚度介于100‑1000nm。
基本信息
专利标题 ：
一种基于气体团簇离子束溅射的薄膜沉积方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN110670043A
申请号 ：
CN201911100724.2
公开（公告）日 ：
2020-01-10
申请日 ：
2019-11-12
授权号 ：
CN110670043B
授权日 ：
2022-04-08
发明人 ：
瓦西里·帕里诺维奇曾晓梅亚历山大·托斯托古佐夫付德君刘传胜
申请人 ：
武汉大学深圳研究院
申请人地址 ：
广东省深圳市南山区粤海街道高新区南区粤兴二道6号武汉大学深圳产学研大楼A302室
代理机构 ：
武汉华旭知识产权事务所
代理人 ：
刘荣
优先权 ：
CN201911100724.2
主分类号 ：
C23C14/46
IPC分类号 ：
C23C14/46
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
C23C14/34
溅射
C23C14/46
用外部离子源产生的离子束法
法律状态
2022-04-08 ：
授权
2020-02-11 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C23C 14/46
申请日 : 20191112
申请日 : 20191112
2020-01-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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