离子束增强沉积制备P－型氧化锌薄膜的方法
专利权的终止
摘要
本发明涉及一种新的ZnO薄膜实用制备技术，其将高纯度ZnO粉体，或原子比为1－5％的Al、In等氧化物均匀掺入ZnO粉体，用等静压压制成型，再烧结成溅射靶，并用纯N2或Ar∶N2为1∶3～1∶10的混合高纯气体产生的混合离子束对沉积膜轰击，垂直注入到溅射沉积膜上，利用样品台的公转和样品片自转实现均匀注入，保证薄膜在后续的结晶热处理后得到均匀的、高取向ZnO多晶结构。本技术的ZnO薄膜制备沉积不受衬底材料的制约，可以在硅、氧化硅、玻璃和氮化硅多片衬底上同时沉积制备均匀、致密、与衬底粘附良好、电阻率低于1.0Ωcm，在可见光区域透射率大于80％p型氧化锌薄膜，满足工业化生产要求；且成膜温度较低，与半导体工艺兼容，没有废物排放。
基本信息
专利标题 ：
离子束增强沉积制备P－型氧化锌薄膜的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1752269A
申请号 ：
CN200510094611.8
公开（公告）日 ：
2006-03-29
申请日 ：
2005-09-29
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
袁宁一李金华
申请人 ：
江苏工业学院
申请人地址 ：
213016江苏省常州市白云路
代理机构 ：
南京知识律师事务所
代理人 ：
汪旭东
优先权 ：
CN200510094611.8
主分类号 ：
C23C14/22
IPC分类号 ：
C23C14/22 C23C14/34 C23C14/48 C23C14/54
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C23
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面化学处理；金属材料的扩散处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆；金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C
对金属材料的镀覆；用金属材料对材料的镀覆；表面扩散法，化学转化或置换法的金属材料表面处理；真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C14/00
通过覆层形成材料的真空蒸发、溅射或离子注入进行镀覆
C23C14/22
以镀覆工艺为特征的
法律状态
2011-12-07 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101147917840
IPC(主分类) : C23C 14/22
专利号 : ZL2005100946118
申请日 : 20050929
授权公告日 : 20080130
终止日期 : 20100929
号牌文件序号 : 101147917840
IPC(主分类) : C23C 14/22
专利号 : ZL2005100946118
申请日 : 20050929
授权公告日 : 20080130
终止日期 : 20100929
2008-01-30 ：
授权
2006-05-24 ：
实质审查的生效
2006-03-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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