高成晶率局部涂层石英坩埚

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摘要

本实用新型公开了高成晶率局部涂层石英坩埚，包括石英坩埚；还包括碳酸钡涂层、格挡盘、格挡板固定圈口和硅酸钡涂层；沿所述石英坩埚的内壁设有凸出于所述石英坩埚内壁的所述格挡板固定圈口，所述格挡盘放置固定在所述格挡板固定圈口上；在所述石英坩埚的内壁表面、所述格挡盘的上方涂覆有所述碳酸钡涂层；在所述石英坩埚的内壁表面、所述格挡盘的下方涂覆有所述硅酸钡涂层。本坩埚的反应层厚度均匀且可控，不会出现脱落现象，坩埚使用寿命可延长至180‑200小时，且侵蚀沟明显变浅，掺入多晶硅溶液杂质量大大降低，可提高单晶硅成晶率，满足一炉两棒、一炉三棒的要求，特别适合于规模化推广使用。

基本信息

专利标题：

高成晶率局部涂层石英坩埚

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202022126047.6

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-09-25

授权号：

CN214088739U

授权日：

2021-08-31

发明人：

贾建亮贾建恩孙丽娜

申请人：

廊坊赫尔劳斯太阳能光伏有限公司

申请人地址：

河北省廊坊市大厂潮白河工业区二路与福喜二路交叉口

代理机构：

北京志霖恒远知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

姚朝权

优先权：

CN202022126047.6

主分类号：

C30B29/06

IPC分类号：

C30B29/06 C30B35/00 C03C17/22