低老化率小型高稳恒温晶振

专利权的终止

摘要

本实用新型公开了一种低老化率小型高稳恒温晶振，其特征在于，包括晶体振荡电路，所述晶体振荡电路由主振级电路、匹配网络、幅度放大器、输出电路和隔离网络五部分依次串接组成；所述的主振级电路中的振荡管为场效应管；还包括控温电路；本低老化率小型高稳恒温晶振的体积小于等于15cm³；老化率为10^-11/日；短期稳定度为5×10^-12/S；工作频率为40MHz。

基本信息

专利标题：

低老化率小型高稳恒温晶振

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN200820158437.8

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2008-09-10

授权号：

CN201282448Y

授权日：

2009-07-29

发明人：

单涨国

申请人：

长沙太阳人电子有限公司

申请人地址：

410205湖南省长沙市岳麓区桐梓坡路229号麓谷国际工业园A1栋3楼

代理机构：

长沙市融智专利事务所

代理人：

颜勇

优先权：

CN200820158437.8

主分类号：

H03B5/36

IPC分类号：

H03B5/36 H03B5/04