一种氮化镓基功率开关器件
授权
摘要
本实用新型公开了一种氮化镓基功率开关器件，包括基板，基板的前侧壁固定安装有氮化镓芯片，氮化镓芯片的前侧壁与上侧壁固定安装有L形金属框，小孔的内侧壁均固定安装有第一导热杆，基板的后侧壁固定安装有底板，底板的前侧壁嵌入有散热片，底板的前侧壁固定安装有封装体，封装体的前侧壁上端固定安装有散热块，本实用新型通过基板、L形金属框、第一导热杆、散热片、第二导热杆和散热块的结构，从氮化镓芯片处产生的热量能够直接传导到L形金属框、第一导热杆和第二导热杆上，且最终热量会分别从散热片及散热块两处散出，通过此装置能够直接有效的对氮化镓芯片进行散热，且散热效率较高。
基本信息
专利标题 ：
一种氮化镓基功率开关器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921167646.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-24
授权号 ：
CN210073821U
授权日 ：
2020-02-14
发明人 ：
田志怀高建海甘琨宋士增张江鹏路立峰
申请人 ：
同辉电子科技股份有限公司
申请人地址 ：
河北省石家庄市鹿泉区高新技术开发区昌盛大街21号
代理机构 ：
石家庄元汇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
周大伟
优先权 ：
CN201921167646.3
主分类号 ：
H01L23/367
IPC分类号 ：
H01L23/367 H01L23/40 H01L23/10
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L23/00
半导体或其他固态器件的零部件
H01L23/34
冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置
H01L23/36
为便于冷却或加热对材料或造型的选择，例如散热器
H01L23/367
为便于冷却的器件造型
法律状态
2020-02-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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