一种SiC功率器件的制备方法和SiC功率器件
公开
摘要
本申请涉及半导体技术领域中的一种SiC功率器件的制备方法和SiC功率器件，包括以下步骤：使用清洗气体一对SiC衬底层的晶面缺陷进行清洗；通过PECVD方法在SiC衬底层上生长氧化物固溶体薄膜，且氧化物固溶体薄膜的厚度为20～50nm；在氮气环境下对氧化物固溶体薄膜进行精细分层，得到分相层，其中，精细分层的温度为500～900℃；使用清洗气体二对分相层的悬挂键钝化和悬挂键缺陷进行清洗；采用磁控溅射法在分相层上沉积第一电极层，在SiC衬底层上沉积第二电极层，具有沟道迁移率高、静态功耗低、可靠性高的优点，突破了因隧穿电流过大，造成栅极处较大能量损耗的瓶颈。
基本信息
专利标题 ：
一种SiC功率器件的制备方法和SiC功率器件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114300350A
申请号 ：
CN202111614210.6
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
盛况邵泽伟王珩宇任娜
申请人 ：
浙江大学杭州国际科创中心
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区建设三路733号
代理机构 ：
杭州裕阳联合专利代理有限公司
代理人 ：
张解翠
优先权 ：
CN202111614210.6
主分类号 ：
H01L21/28
IPC分类号 ：
H01L21/28 C23C14/18 C23C14/35 C23C16/40 C23C16/50 C23C16/56 C23C28/00 C23C28/04 H01L29/51
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/28
用H01L21/20至H01L21/268各组不包含的方法或设备在半导体材料上制造电极的
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
