一种功率半导体器件及其制备方法
实质审查的生效
摘要
一种功率半导体器件及其制备方法，本发明属于功率半导体器件领域，本发明通过引入了对漂移区内电子抽取的穿通型三极管结构降低正面空穴的注入效率，将发射极空穴电流转化为电子漂移电流，不会使导通压降显著增大；另外通过改变正面沟槽的密度和形貌，实现对穿通型面积和位置的调整，进而改变对电子抽取、正面空穴注入效率，增加了器件设计灵活性和设计维度。
基本信息
专利标题 ：
一种功率半导体器件及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114551589A
申请号 ：
CN202210440811.8
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2022-04-26
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
刘永冯浩单建安
申请人 ：
安建科技（深圳）有限公司
申请人地址 ：
广东省深圳市宝安区新安街道海滨社区N26区宝兴路21号万骏经贸大厦1108
代理机构 ：
深圳市千纳专利代理有限公司
代理人 ：
袁燕清
优先权 ：
CN202210440811.8
主分类号 ：
H01L29/739
IPC分类号 ：
H01L29/739 H01L29/06 H01L21/331
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 29/739
申请日 : 20220426
申请日 : 20220426
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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