一种提高功率器件耐压和开关时间性能的栅极构造
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摘要
一种提高功率器件耐压和开关时间性能的栅极构造，包括背面金属层、衬底层和源极金属表面层；所述衬底层设有栅槽结构，所述栅槽结构的沟道壁角部导入一绝缘层。所述沟道壁角部导入的绝缘层由两层高介电体层组成，第1层高介电体层与外侧氧化层接触，第2层高介电体层与内侧氧化层相接触。所述沟道壁角部导入的绝缘层的比介电率比SiO2材质的更高。所述沟道壁角部导入的绝缘层可以用溅射或CVD的工艺方法形成。所述沟道壁角部导入的绝缘层由材料ZrO2、Ta2O5和Al2O3组成。本实用新型通过引入局部高介电层的新栅极构造极大地缓和沟道壁角部的电场强度，提高器件对雪崩击穿的耐受能力，保证了器件高速开关性能。
基本信息
专利标题 ：
一种提高功率器件耐压和开关时间性能的栅极构造
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202020104670.9
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-01-17
授权号 ：
CN211208452U
授权日 ：
2020-08-07
发明人 ：
陈译陈利陈彬陈剑
申请人 ：
厦门芯一代集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市中国（福建）自由贸易试验区厦门片区港中路1734号302单元
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202020104670.9
主分类号 ：
H01L29/423
IPC分类号 ：
H01L29/423 H01L29/51 H01L29/739 H01L29/78
法律状态
2020-08-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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