一种异质外延薄膜外延层的表面处理方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种异质外延薄膜外延层的表面处理方法，包括提供外延衬底，在所述外延衬底上表面制备一外延层，提供待键合层；键合所述外延层和所述待键合层；机械减薄抛光所述外延衬底下表面，当所述外延衬底的厚度减薄至20‑40μm时停止抛光，在减薄后的外延衬底下表面旋涂一层含Si抗反射涂层/有机碳层的光刻胶三层结构掩膜；对所述光刻胶三层结构掩膜表面加热后进行化学机械减薄抛光，得到三层结构掩膜平坦化的外延衬底；干法刻蚀CMP抛光后的外延衬底表面直至所述外延层外漏得到异质外延薄膜外延层。该方法能够使得转移剥离露出的外延层的厚度均匀性较好。
基本信息
专利标题 ：
一种异质外延薄膜外延层的表面处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114496746A
申请号 ：
CN202111483162.1
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2021-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
董树荣庞正基轩伟鹏金浩骆季奎刘刚刘舒婷钟高峰邹锦林
申请人 ：
浙江大学杭州国际科创中心
申请人地址 ：
浙江省杭州市萧山区建设三路733号
代理机构 ：
杭州天勤知识产权代理有限公司
代理人 ：
胡红娟
优先权 ：
CN202111483162.1
主分类号 ：
H01L21/18
IPC分类号 ：
H01L21/18 H01L21/60 H01L23/488 C23C14/18 C23C14/35 C23C16/24 C23C16/50 C23C16/56 C30B25/02 C30B29/40
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
法律状态
2022-05-31 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/18
申请日 : 20211207
申请日 : 20211207
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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