一种获得低表面分凝硅/锗硅异质结构的外延生长方法
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
一种掺杂或不掺杂的CVD外延生长低表面分凝硅/锗硅异质结构的方法，包括生长量子阱、超晶格和其它由异质结构组成的多层结构，其特征是在生长过程中，采用氢气稀释生长源气，氢气流量为生长源气总流量的2-40倍。本方法可以得明显低表面分凝的硅/锗硅半导体异质结构材料，且工艺简单易操作、设备无须大的变动。
基本信息
专利标题 ：
一种获得低表面分凝硅/锗硅异质结构的外延生长方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1083266A
申请号 ：
CN92109725.5
公开（公告）日 ：
1994-03-02
申请日 ：
1992-08-21
授权号 ：
CN1036167C
授权日 ：
1997-10-15
发明人 ：
张荣顾书林郑有炓韩平王荣华胡立群
申请人 ：
南京大学
申请人地址 ：
210008江苏省南京市汉口路
代理机构 ：
南京大学专利事务所
代理人 ：
黄嘉栋
优先权 ：
CN92109725.5
主分类号 ：
H01L21/205
IPC分类号 ：
H01L21/205
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/20
半导体材料在基片上的沉积，例如外延生长
H01L21/205
应用气态化合物的还原或分解产生固态凝结物的，即化学沉积
法律状态
1998-10-14 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1997-10-15 ：
授权
1995-04-12 ：
实质审查请求的生效
1994-03-02 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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