本发明公开了一种FDSOI硅外延生长工艺优化方法，其可确保主动区域上方的顶层硅能够完整生长，晶体管包括衬底，衬底上分布有主动区域、沟槽隔离区、栅极区，将衬底划分为若干衬底区域，相邻两个衬底区域之间设置有一个沟槽隔离区，在不同衬底区域的顶层硅上方分别生长出外延层，工艺优化步骤包括：依次在不同衬底区域的主动区域上方沉积第一层顶层硅，在第一层顶层硅、栅极区、沟槽隔离区的上表面沉积薄膜，在薄膜的上方布置掩膜版，刻蚀相应衬底区域上方的掩膜版，刻蚀相应衬底区域上方的薄膜，采用预清洗技术进一步清洗，对第一层顶层硅进行干燥，在第一层顶层硅的表面沉积第二层顶层硅，形成组合顶层硅，使组合顶层硅生长出外延层。