一种异质PN结空间电池外延片
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摘要
本实用新型公开了一种异质PN结空间电池外延片，属于太阳能电池技术领域，其技术方案要点是，包括从上至下依次叠加组合在一起的GaAs欧姆接触层、顶电池、GaInP/AlGaAs隧穿结层、中电池、GaAs隧穿结层、GaAs/GaInAs缓冲层和底电池，其中顶电池包括从上至下依次叠加组合在一起的AlInP窗口层、GaInP发射区层、GaInP基区层和AlGaInP背面场层，中电池包括从上至下依次叠加组合在一起的AlInP窗口层以及GaInAs发射区层、GaInAs基区层、AlGaInAs背面场层和GaInAs/AlGaInAs分布式布拉格反射镜反射层，底电池包括从上至下依次叠加组合在一起的GaInP发射区层以及GaInP成核层和Ge衬底，底电池为异质Ge/GaInP PN结结构。该种异质PN结空间电池外延片实现了在不显著增加空间太阳能电池外延片制造成本的同时还能够获得更高的光电转换效率。
基本信息
专利标题 ：
一种异质PN结空间电池外延片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022495872.3
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-11-03
授权号 ：
CN212257428U
授权日 ：
2020-12-29
发明人 ：
万智徐培强林晓珊张银桥王向武潘彬
申请人 ：
南昌凯捷半导体科技有限公司
申请人地址 ：
江西省南昌市临空经济区黄堂西街199号8#厂房204室
代理机构 ：
南昌金轩知识产权代理有限公司
代理人 ：
孙文伟
优先权 ：
CN202022495872.3
主分类号 ：
H01L31/074
IPC分类号 ：
H01L31/074 H01L31/0725 H01L31/0304
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法律状态
2020-12-29 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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