一种AlGaN双异质结高阻缓冲层外延结构
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摘要
本实用新型公开了一种AlGaN双异质结高阻缓冲层外延结构，包括由下至上层叠设置的衬底、成核层、AlGaN双异质结高阻缓冲层和GaN层：所述AlGaN双异质结高阻缓冲层中包含两个以上的AlGaN异质结结构，其中，每个周期的异质结结构中包括两层AlGaN层，其中一层的厚度范围为100‑1000nm；另一层的厚度范围为1‑99nm。本实用新型能够减小AlGaN层的背景电子浓度和增加电子垂直方向散射从而实现高阻缓冲层的生长，获得高质量的GaN基缓冲层。
基本信息
专利标题 ：
一种AlGaN双异质结高阻缓冲层外延结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921214481.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-07-30
授权号 ：
CN210073765U
授权日 ：
2020-02-14
发明人 ：
林志东房育涛刘波亭林云昊许燕丽张恺玄
申请人 ：
厦门市三安集成电路有限公司
申请人地址 ：
福建省厦门市同安区洪塘镇民安大道753-799号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN201921214481.0
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02 H01L29/778
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2020-02-14 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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