异质结IBC太阳能电池的背面结构及异质结IBC太阳能电池
授权
摘要
本实用新型公开一种异质结IBC太阳能电池的背面结构及异质结IBC太阳能电池，包括由内向外依次设置在硅片背面的本征非晶硅薄膜层及掺杂层，所述掺杂层包括交替排列且均匀间隔设置的P+区和N+区，所述P+区包括第一P+层和第二P+层，所述N+区包括第一N+层和第二N+层；所述第一P+层为硼掺杂纳米晶硅二氧化硅层，所述第二P+层为硼掺杂纳米晶硅层；所述第一N+层为磷掺杂纳米晶硅二氧化硅层，所述第二N+层为磷掺杂纳米晶硅层。本实用新型的背面结构，通过采用掺杂纳米晶硅二氧化硅层和纳米晶硅层取代传统的掺杂非晶硅层，使得掺杂层能更好的同TCO匹配，减少光学损失；有利于提高异质结IBC太阳能电池的开路电压，降低接触电阻，提高电池的填充因子及电池效率。
基本信息
专利标题 ：
异质结IBC太阳能电池的背面结构及异质结IBC太阳能电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202220013851.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2022-01-04
授权号 ：
CN216488084U
授权日 ：
2022-05-10
发明人 ：
戴燕华赵福祥
申请人 ：
韩华新能源（启东）有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市启东经济开发区林洋路888号
代理机构 ：
苏州创元专利商标事务所有限公司
代理人 ：
俞春雷
优先权 ：
CN202220013851.X
主分类号 ：
H01L31/0352
IPC分类号 ：
H01L31/0352 H01L31/0747
法律状态
2022-05-10 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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