用于制造异质结太阳能电池的方法及异质结太阳能电池
公开
摘要
本发明提供用于制造异质结太阳能电池的方法以及异质结太阳能电池。所述电池包括N型单晶硅片，其正面依次形成有第一本征非晶硅层、N型非晶硅/微晶硅层、第一透明导电膜及第一电极，其背面依次形成有第二本征非晶硅层、P型非晶硅/微晶硅层、第二透明导电膜及第二电极，其中第一、第二本征非晶硅层均通过包括多个同型子工艺的本征PECVD工艺形成，N型非晶硅/微晶硅层、P型非晶硅/微晶硅层分别通过各自包括多个同型子工艺的N型以及P型PECVD工艺形成，多个同型子工艺在工艺气体种类相同或工艺气体流量增幅低于预定增幅时不间断依序进行，否则插入过渡工艺。本发明能保持等离子体的稳定性，能提高有效等离子体时间，又能保持工艺界面的连续性。
基本信息
专利标题 ：
用于制造异质结太阳能电池的方法及异质结太阳能电池
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114497260A
申请号 ：
CN202210117506.5
公开（公告）日 ：
2022-05-13
申请日 ：
2022-02-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
吴科俊陈金元
申请人 ：
上海理想万里晖薄膜设备有限公司
申请人地址 ：
上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区江山路2699弄3号厂房
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210117506.5
主分类号 ：
H01L31/072
IPC分类号 ：
H01L31/072 H01L31/0224 H01L31/0236 H01L31/18
法律状态
2022-05-13 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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